Elaboration et caractérisation des matériaux du groupe IV-IV et III-V des semi-conducteurs comme des films minces et nanomatériaux sur un substrat de silicium, pour des applications nanoélectronique, photonique et photovoltaïques. Le contrôle de la qualité structurelle, comme la structure d'interface et de fonctionnalisation nanométrique jouer un rôle important pour les performances du périphérique.
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Oui
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Orsay bat 220
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Nom | Laboratoire | |
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daniel bouchier | daniel.bouchier@u-psud.fr | Centre de nanosciences et nanotechnologies |